高(gāo)壓模塊電(diàn)源的(de)早期供電(diàn)容量★₹通(tōng)常是(shì)直流模塊電(diàn)源容器(qì)，但♥÷₹α(dàn)現(xiàn)在已從(cóng)直流電(diàn)源向♣₽★通(tōng)信電(diàn)源、從(cóng)低(dī)溫供→<電(diàn)向高(gāo)溫供電(diàn)、從(cóng)一(y♥≥∞→ī)般電(diàn)源向外(wài)供電(diàn)、從(÷☆" cóng)普通(tōng)結構到(dào)芯片、從(cóng)平闆到(dào)書(shū)™∞↑本等方向發展。其上(shàng)限容量已擴大(dà)到(dào)4f左右，應用(yòng)頻ε≤(pín)率達30khz，工(gōng)作(zuò)溫度等級已達到(dào)®♦←®-55℃-125℃網站(zhàn)報(bào)價，有(yǒu)的(de)甚至高(gāo)達150>§ ℃，附加模塊供電(diàn)電(diàn)‍π≤≠壓已達700V。

高(gāo)壓模塊電(diàn)源容如(rú)何選擇

1.要(yào)盡可(kě)能(néng)地(dì≈∞$÷)解決供電(diàn)容量問(wèn)題，必須選擇原型号的(de)高(gāσ✔​≈o)壓模塊電(diàn)源。

2.通(tōng)常，高(gāo)壓模塊電(diàn)源解決方案模塊的(de)電(diànΩφΩ)源容量存在較大(dà)誤差，不(bù)會(huì)影(yǐng)響模塊≈£₹±供電(diàn)電(diàn)路(lù)的(de)正常運行(xíng)，因此模塊電(d•¶ €iàn)源容量稍大(dà)或稍小(xiǎ≈×o)的(de)模塊電(diàn)源容器(qì)可(kě)以更換。然而，在分™£λ(fēn)頻(pín)模塊電(diàn)源電(diàn)路(lù)、校 ®(xiào)對(duì)模塊電(diàn)源電(diàn)路(lù)、振動回↑¶ ¶路(lù)和(hé)環路(lù)中，模塊供電(diàn)容量應盡↔♠±‍可(kě)能(néng)符合會(huì)計(jì)要(yào)求。在某些(xiē)濾波網"ε×絡中，對(duì)黑(hēi)金(jīn)剛模塊電(diα≈φàn)源釋放(fàng)模塊的(de)電(di← ★βàn)源容量和(hé)模塊電(diàn)源解決方案模塊的(de)電(&★diàn)源容量也(yě)提出了(le)要(yào)求，δ↔其差錯(cuò)應小(xiǎo)于±♥♦λ₹;0.3-0.5。

3.承壓要(yào)求必須是(shì)徒手的(de)•λ，所選擇的(de)耐壓值應等于或大(dà)于←¥原值。

4.通(tōng)常，非極性模塊的(de)供電(diàn)容量被非極性模塊的→ε↓(de)供電(diàn)容量所取代，在沒有(yǒu)辦法的(de)情況下(xi♣​↕à)，可(kě)以用(yòng)容量兩倍的(de)兩個(gè)極性☆≤♥模塊的(de)逆級數(shù)來(lái)代替。方法是(shì)将兩個(₩→γ‌gè)極性模塊的(de)電(diàn)源容量的(de)正極連接起®≠★★來(lái)(或連接它們的(de)兩個(gè)負極)。

5.在選擇高(gāo)壓模塊的(de)供電(diàn)容量時(sh↔✘βδí)，選擇耐高(gāo)溫模塊的(de)高(gāo)壓模↓♥<≈塊供電(diàn)能(néng)力進行(xíngγ©)成都(dōu)人(rén)員(yuán)考核。耐高(gāo)溫模塊供電(diàn)能(nén‍∑  g)力的(de)高(gāo)工(gōng)作(zuò)溫♥←♠度為(wèi)105℃。當高(gāo)溫模塊的(de≈‌γ)供電(diàn)容量在較高(gāo)的(de)工(gōng)作(zuò)溫度下(≈±xià)運行(xíng)時(shí)，可✔¶ (kě)以保證正常工(gōng)作(zuò)時(sπ₹™∏hí)間(jiān)在2000小(xiǎo)時(shí)π β↑左右。當模塊供電(diàn)容量為(wèi)80℃時(shí ≥)，在50℃時(shí)，壽命可(kě)達22000小(xiǎo)時(shí)。如(rú)果此時(™π> shí)采用(yòng)高(gāo)溫高(gāo‍ε<≤)壓模塊供電(diàn)，模塊供電(diàn)能(nén¥✔g)力的(de)壽命可(kě)達9萬小(xiǎ&€o)時(shí)。